EddyCus map C2C全自动电阻率成像系统

EddyCus®map C2C是一种全自动测量设备，用于晶圆衬底或外延片的全面积表征，以确保半导体行业的工艺可靠性和质量保证。EddyCus map C2C全自动电阻率成像系统配备了两个在传输模式下工作的非接触式涡流传感器。这允许非常详细地显示基底材料或导电涂层的均匀性。该系统能够测量薄膜的薄层电阻或金属膜厚度以及晶圆衬底的电阻率。

创新的浮动晶圆技术

在器件的开发过程中，重点是将系统与晶圆的接触减少到最小，以免影响晶圆的完整性。因此，该设备几乎非接触式工作。晶圆基板或涂层的表面没有被触摸。仅选择性地并且在晶圆的侧表面上以很小的力进行接触。请查看我们的EddyCus®地图C2C视频，了解处理过程。

高分辨率、全表面晶圆map

测量设备可对晶圆或涂层进行高分辨率的全区域成像，让您深入了解表征晶圆的质量。根据设置和您的时间要求，可以想象几十到数万个测量点。

该软件还提供了各种分析工具，如直方图或各种线轮廓。要查看晶圆上的某个区域的具体细节，您可以使用选择工具选择相关位置，然后使用线轮廓或直方图再次对其进行分析。

用于150毫米和200毫米晶圆的暗盒

EddyCus®map C2C有一个装载装置，可以装载150毫米（6英寸）晶圆和200毫米（8英寸）晶圆的晶圆载体。晶片载体的容量为25个晶片。

自动晶圆搬运

对于晶片成像，晶片从暗盒/载体转移到涡电流传感器，然后放回暗盒。对于希望减少处理晶圆时间的制造企业来说，一个有用的工具是自动化晶圆处理。我们的自动化晶圆处理技术降低了劳动力成本，提高了加工精度，并降低了人为错误的可能性。晶片由系统精确测量、处理和运输，从暗盒到测量站，再返回暗盒。通过这样做，不再需要人为操作晶片，从而防止测量误差和潜在的晶片损坏。

专用于宽带隙材料，如SiC、GaN

一种被称为宽带隙材料的半导体材料具有比典型半导体更宽的能带隙。晶体管和其他集成电路是在半导体领域使用宽带隙材料制成的。这些组件对半导体至关重要，因为它们提供了更高的功率效率和更快的切换时间。宽带隙材料适用于高功率应用，因为它们也具有较大的击穿电压。它们能够更好地承受辐射，这使它们非常适合用于太空应用。碳化硅、氮化镓和金刚石是具有宽带隙的材料的几个例子。许多不同的应用，如电源、太阳能电池和激光二极管，都使用这些材料。

薄层电阻、层厚度和电阻率测量

EddyCus® map C2C能够确定薄膜的薄层电阻和厚度以及晶片衬底的电阻。该设备具有大的测量范围，这意味着几乎所有可能的应用都可以通过该设备进行测量。

EddyCus map C2C全自动电阻率成像系统技术参数